[发明专利]VDMOS集成ESD结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种VDMOS集成ESD结构的制备方法，在衬底上形成外延层；在外延层表面淀积氮化硅层，之后通过光刻工艺和干法刻蚀工艺将栅极区域或者终端预定做ESD的区域刻蚀掉，部分区域露出外延层，剩余区域仍然有氮化硅覆盖；通过过炉管工艺在露出外延层的区域生长场氧化层；湿法腐蚀去掉氮化硅层，留下场氧化层图形；在有源区形成沟槽；形成MOSFET器件栅氧；淀积多晶硅；完成器件栅极以及ESD PN结的多晶硅图形；形成P阱；形成器件源极的同时，在ESD多晶硅图形上面完成PN结的结注入，形成ESD；介质淀积；形成引线孔；完成孔钨填充和表面金属工艺形成器件正面结构；最后完成最终器件结构。本发明避免了有源区外延层在热氧化层生长中的损耗，提高了器件耐压。

主权项

一种VDMOS集成ESD结构的制备方法，其特征在于,该方法通过以下步骤实现：步骤一：在 n 型或者P型的重掺杂的衬底上形成外延层；步骤二：在外延层表面淀积氮化硅层，之后通过光刻工艺和干法刻蚀工艺将栅极区域或者终端预定做ESD的区域刻蚀掉，部分区域露出外延层，剩余区域仍然有氮化硅覆盖；步骤三：通过过炉管工艺在露出外延层的区域生长场氧化层；步骤四：湿法腐蚀去掉氮化硅层，留下场氧化层图形；步骤五：通过光刻版及干法腐蚀工艺在有源区形成沟槽；步骤六：经过牺牲氧化、栅氧氧化，形成MOSFET器件栅氧；步骤七：淀积多晶硅；步骤八：通过多晶硅的光刻以及干法腐蚀工艺完成器件栅极以及ESD PN结的多晶硅图形；步骤九：P‑BODY注入，形成P阱；步骤十：source光刻以及source注入，形成器件源极的同时，在ESD多晶硅图形上面完成PN结的结注入，形成ESD；步骤十一：介质淀积；步骤十二：通过光刻和腐蚀工艺形成引线孔；步骤十三：完成孔钨填充，和表面金属工艺形成器件正面结构；步骤十四：最后完成背面金属工艺，形成器件漏端，完成最终器件结构。