[发明专利]包括存储单元的短路可变电阻器元件的半导体存储器件有效
| 申请号： | 201610768898.6 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106486153B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 徐辅永;表锡洙;高宽协;李龙圭;金大植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽;张婧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括存储单元中的短路可变电阻器元件。所述半导体存储器件包括：主单元和参考单元，其每个包括单元晶体管和可变电阻器元件。通过施加磁性隧道结(MTJ)元件的击穿电压、并联地连接到导电通孔元件、连接到在单元晶体管与可变电阻器元件之间的节点处的参考位线或者利用导电通孔元件替换可变电阻器元件，使所述参考单元的可变电阻器元件短路。感测放大器通过检测和放大在主单元的位线中流动的电流以及在参考电阻器所连接到的参考位线中流动的电流，来提高主单元的感测容限。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 存储 单元 短路 可变 电阻器 元件 半导体 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包含：以行和列布置的多个电阻式存储单元，所述多个电阻式存储单元中的每一个包含单元晶体管和可变电阻器元件；第一存储单元阵列，其包含连接到分别对应于行的多个字线中的一个的第一单元晶体管以及连接到分别对应于列的多个第一位线中的一个的第一可变电阻器元件；第二存储单元阵列，其包含连接到所述多个字线中的一个的第二单元晶体管以及连接到对应于列中的一个的第二位线的第二可变电阻器元件，其中所述第二可变电阻器元件被短路；以及连接到第二位线的参考电阻器。
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