[发明专利]深沟槽隔离及其形成方法有效
| 申请号： | 201610769404.6 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106486412B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 周正贤;曾晓晖;赖志育;周世培;江彦廷;蔡敏瑛 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种方法，包括对半导体衬底实施各向异性蚀刻以形成沟槽。该沟槽具有垂直侧壁和连接至垂直侧壁的圆形的底部。实施损坏去除步骤以去除半导体衬底的表面层，表面层暴露于沟槽。蚀刻沟槽的圆形的底部以形成斜直底面。填充沟槽以形成在沟槽中的沟槽隔离区域。本发明实施例涉及深沟槽隔离及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 隔离 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路结构的方法，包括：对半导体衬底实施各向异性蚀刻以形成沟槽，其中，所述沟槽包括垂直侧壁和连接至所述垂直侧壁的圆形的底部；实施损坏去除步骤以去除所述半导体衬底的表面层，所述表面层暴露于所述沟槽，其中，蚀刻所述沟槽的所述圆形的底部以形成斜直底面；填充所述沟槽以在所述沟槽中形成沟槽隔离区域，其中，填充所述沟槽包括：形成延伸至所述沟槽内的介电层；在形成所述介电层之后，在所述沟槽内以及所述介电层上方形成金属区域；以及回蚀刻所述金属区域，使得所述金属区域的顶面低于所述介电层的顶面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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