[发明专利]一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610769871.9 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206744A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 秦芳 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。本发明的金属氧化物薄膜晶体管包括栅电极层、栅绝缘层、有源层、源漏极层、保护层、TiO2薄膜层、平坦化层、阳极层和像素定义区有机层。本发明在IGZO有源层的上方加一层纳米TiO2薄膜，起到屏蔽UV光和外界污染物如金属离子等的作用，防止其对IGZO有源层的稳定性产生影响，在不增加光罩的基础上提高了器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜晶体管，其包括：栅电极层，其位于靠近玻璃基板一侧的上表面；栅绝缘层，其位于所述栅电极层上表面以及未被所述栅电极层覆盖的玻璃基板上表面；有源层，其位于靠近玻璃基板一侧的栅绝缘层上表面；源漏极层，其位于所述有源层上表面以及靠近玻璃基板一侧的未被所述有源层覆盖的栅绝缘层上表面；保护层，其位于所述源漏极层上表面以及未被所述源漏极层覆盖的栅绝缘层上表面；TiO2薄膜层，其位于所述保护层上表面；平坦化层，其位于所述TiO2薄膜层上表面；所述平坦化层设有接触孔，所述接触孔的位置靠近玻璃基板的另一侧，所述接触孔从所述平坦化层的上表面延伸到所述源漏极层的上表面；阳极层，其形成于所述平坦化层的接触孔内以及覆盖接触孔的平坦化层的上表面；像素定义区有机层，其位于所述阳极层上靠近玻璃基板两侧的上表面以及未被所述阳极层覆盖的平坦化层上表面。
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