[发明专利]一种非高温液相法生长石墨烯的制备方法有效
| 申请号： | 201610769878.0 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106365154B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 孙旭阳 | 申请（专利权）人： | 孙旭阳 |
| 主分类号： | C01B32/188 | 分类号： | C01B32/188 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 王嘉华 |
| 地址： | 314001 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种非高温液相法生长石墨烯的制备方法，其技术特征在于制备方法包括如下步骤：在保护气体中将冷等离子体点燃，在该等离子体中放置有工作在非高温状态的有机溶剂，然后将气态或液态碳源引入点燃的冷等离子体中，上述气态碳源被活化裂解或液态碳源蒸发后活化裂解，裂解后的碳在上述有机溶剂中充分溶解；将过冷的目标薄膜浸入有机溶剂，使得有机溶剂中溶解的碳在过冷的目标薄膜上过饱和析出，在过冷的目标薄膜上形成石墨烯膜。本发明的一种非高温液相法生长石墨烯的制备方法，所制备的石墨烯具有质量优良，成本低、效率高、污染少、能直接生长在目标薄膜上无需转移。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 液相法 生长 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非高温液相法生长石墨烯的制备方法，其技术特征在于制备方法包括如下步骤：在保护气体中将置于反应室中的冷等离子体点燃，在该等离子体中放置有工作在非高温状态的有机溶剂，然后将气态或液态碳源引入点燃的冷等离子体中，上述气态碳源被活化裂解或液态碳源蒸发后活化裂解，裂解后的碳在上述有机溶剂中充分溶解；将过冷的目标薄膜浸入有机溶剂，使得有机溶剂中溶解的碳在过冷的目标薄膜上过饱和析出，在过冷的目标薄膜上形成石墨烯膜。
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