[发明专利]一种基于多稠环类的场效应晶体管材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201610769911.X | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106366095B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 廖良生;李永玺;吴福鹏 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C07D495/22 | 分类号： | C07D495/22;C07D519/00;C08G61/12;H01L51/30;H01L51/05 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 曹毅 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种基于多稠环类的场效应晶体管材料及其制备方法和应用，所述晶体管材料的化学结构式为其中n的值为1‑100；X选自下列原子中的一种O、S、Se、Te；A为具有π共轭结构的基团，选自下列基团中的一种R选自下列基团中的一种本发明提供的晶体管材料效率高、易制备，与现有的有机场效应材料相比，它自身结构具有更好的平面性，成膜性好，能级易调节从而大幅的提高了电荷迁移率，其成品可以用于制成柔性电子设备，在有机发光、有机光探测器、有机太阳能电池、压力传感器、有机存储设备、柔性电子平板、电子纸等众多领域，具有潜在而广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多稠环类 场效应 晶体管 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种基于多稠环类的场效应晶体管材料，其特征在于：所述晶体管材料的化学结构式为：其中n的值为1‑100；X选自下列原子中的一种：O、S、Se、Te；A为具有π共轭结构的基团，选自下列基团中的一种：R选自下列基团中的一种：
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