[发明专利]提高RF(射频)器件性能的衬底制造方法在审
| 申请号： | 201610769963.7 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106486496A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 徐咏恩;蔡冠智;郑国裕;陈耕佑;陈世雄;陈少宇;蔡维恭;叶玉隆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体衬底，其包括第一硅层，第一硅层包括上表面，该上表面具有相对于上表面垂直延伸的突起部。隔离层被布置在上表面上方且在界面处与第一硅层交集，并且第二硅层布置在隔离层上方。还提供了一种制造半导体衬底的方法。本发明还提供了一种集成电路以及形成绝缘体上硅(SOI)衬底的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 rf 射频 器件 性能 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底，包括：第一硅层，所述第一硅层包括上表面，所述上表面具有相对于所述上表面垂直延伸的突起部；隔离层，所述隔离层布置在所述上表面上方并且与所述第一硅层交集于界面处；以及第二硅层，所述第二硅层布置在所述隔离层上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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