[发明专利]一种自偏置的自旋波波导及其制备方法有效
| 申请号： | 201610770300.7 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106252813B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 钟智勇;张怀武;金立川;文天龙;廖宇龙;唐晓莉;苏桦 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P3/12 | 分类号： | H01P3/12 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种自偏置的自旋波波导及其制备方法，属于自旋波器件技术领域。包括基片，依次形成于基片之上的永磁薄膜、绝缘介质薄膜、软磁薄膜和保护层形成的多层薄膜结构，所述多层薄膜结构在垂直于膜面的磁场中饱和磁化后，采用单极磁头的写入磁场局域翻转永磁薄膜的磁化方向，即可形成自偏置的自旋波波导。本发明采用垂直各向异性的永磁薄膜与软磁薄膜形成交换‑弹性结构，由于永磁薄膜上下磁畴形成的磁通使软磁薄膜中的磁矩沿磁通方向整齐排布，这样，在没有偏置磁场的情况下就能形成自旋波波导，实现了自旋波波导的自偏置；其自偏置场的大小可通过永磁材料的种类及厚度调节，有利于实现集成化的自旋波波导，为集成自旋波器件的应用打下了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏置 自旋 波导 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自偏置的自旋波波导，包括基片，形成于基片之上的软磁薄膜和保护层，其特征在于，所述基片与软磁薄膜之间加入永磁薄膜和绝缘介质薄膜，依次形成于基片之上的永磁薄膜、绝缘介质薄膜、软磁薄膜和保护层组成多层薄膜结构，所述多层薄膜结构在垂直于膜面的磁场中饱和磁化后，采用单极磁头的写入磁场局域翻转永磁薄膜的磁化方向，即可形成自偏置的自旋波波导。
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