[发明专利]一种微米级磁通聚集薄膜及其制备方法

摘要

一种微米级磁通聚集薄膜及其制备方法，属于磁传感器技术领域。本发明将等厚度的坡莫合金薄膜与掺铬的坡莫合金薄膜交替重复形成微米级的磁通聚集薄膜，由于掺铬的坡莫合金薄膜与未掺杂的坡莫合金薄膜之间存在磁化强度梯度差△M，该磁化强度梯度差△M会产生垂直于膜面的退磁场而使薄膜的磁矩平行于膜面，这样即使多层薄膜的厚度达到微米级，也不会出现磁矩向面外分布，即不会产生面外各向异性，使得薄膜具有良好的磁通聚集性能。本发明坡莫合金薄膜与掺铬的坡莫合金薄膜之间的晶格匹配，在形成多层薄膜时不会产生应力而恶化薄膜的软磁性能；本发明采用两种磁性层交替形成磁通聚集薄膜，保证了磁通聚集薄膜的饱和磁化强度不降低。

主权项

一种微米级磁通聚集薄膜，包括薄膜A、薄膜B交替形成的2n层薄膜；当薄膜A为坡莫合金薄膜时，薄膜B为掺铬的坡莫合金薄膜，当薄膜A为掺铬的坡莫合金薄膜时，薄膜B为坡莫合金薄膜；所述薄膜A与薄膜B的厚度相同。