[发明专利]复合左右手结构宽带移相器在审
申请号: | 201610770602.4 | 申请日: | 2016-08-30 |
公开(公告)号: | CN106329035A | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 包永芳;吕俊材;黄九荣 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/18 | 分类号: | H01P1/18 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人: | 敖欢,葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供一种复合左右手结构宽带移相器,从下之上依次包括背面覆铜层、介质基板、正面电路,正面电路包括P1区、P2区、P3区,P2区包括两个复合左右手结构移相单元,每个单元包括中间的交指部分、焊盘、金属化通孔,两个复合左右手结构移相单元之间通过右手传输线连接;P1区是威尔金森功分器,威尔金森功分器的两个输出端分别连接P2区和P3区,隔离电阻跨接在P2区和P3区之间;P3区是右手传输线移相单元,右手传输线移相单元为右手传输线,P3区输出端口port3和P2区的输出端口port2对齐;本发明含有新型的复合左右手移相单元,与传统移相器相比,能够实现宽带移相,如果采用MEMS技术的话,该结构移相器可以微型化运用于薄膜集成电路。 | ||
搜索关键词: | 复合 左右手 结构 宽带 移相器 | ||
【主权项】:
一种复合左右手结构宽带移相器,其特征在于:从下之上依次包括背面覆铜层、介质基板、正面电路,所述正面电路包括P1区、P2区、P3区:P2区包括两个复合左右手结构移相单元,每个单元包括中间的交指部分、交指部分两端的焊盘、焊盘上的金属化通孔,两个复合左右手结构移相单元之间通过右手传输线连接,两复合左右手结构移相单元之间的右手传输线长度为L;P1区是威尔金森功分器,包括隔离电阻,威尔金森功分器的两个输出端分别连接P2区和P3区,隔离电阻跨接在P2区和P3区之间用于增加P2和P3的隔离度;P3区是右手传输线移相单元,所述右手传输线移相单元为右手传输线,P3区输出端口port3和P2区的输出端口port2对齐;且3个区的移相度数需满足:Φph=ΦCRLH‑ΦRH (1)其中,Φph为本发明的移相器总的移相度数,ΦCRLH为P2区的总移相度数,ΦRH为P3区的移相度数;P2区的总移相度数ΦCRLH通过下述公式得到:ΦCRLH=ΦCRLH1+ΦL+ΦCRLH2 (2)其中,ΦCRLH为P2区的总移相度数,ΦCRLH1是第一个复合左右手结构移相单元的移相度数;ΦCRLH2是第二个复合左右手结构移相单元的移相度数;ΦL为P2区的长度为L的右手传输线的移相度数;L通过下式计算得到:L=ΦL2πλg---(3)]]>其中,λg为P2区里的右手传输线里的波导波长;P3区的右手传输线的总物理长度LRH通过下式计算得到:LRH=ΦRH2πλg---(4)]]>其中,ΦRH为P3区的移相度数;λg为P3区里的右手传输线里的波导波长。
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