[发明专利]集成电路及其制造方法

摘要

本发明涉及一种集成电路，包括第一半导体鳍、第一外延结构，以及至少两个第一介电质的鳍部侧壁结构。在第一半导体鳍上设置第一外延结构。第一介电质的鳍部侧壁结构设置在第一外延结构的相对两侧上。第一介电质的鳍部侧壁结构具有不同的高度。本发明还提供了一种用于制造集成电路的方法。

主权项

1.一种集成电路，包括：/n第一半导体鳍和第二半导体鳍；/n第一外延结构，设置在所述第一半导体鳍上，所述第一外延结构包括：/n主体部分，具有相对的第一侧壁和第二侧壁；以及/n顶部部分，设置在所述主体部分上，其中，所述顶部部分包括突出到所述第一侧壁之外的第一部分和突出到所述第二侧壁之外的第二部分；/n第二外延结构，设置在所述第二半导体鳍上，其中，所述第二部分和所述第二外延结构物理连接；/n第一介电质的鳍部侧壁结构和第二介电质的鳍部侧壁结构，分别位于所述第一部分和所述第二部分下方，所述第一介电质的鳍部侧壁结构高于所述第二介电质的鳍部侧壁结构。/n