[发明专利]一种光热电分离的倒装LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201610770822.7 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106449924B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;李俊贤;吕奇孟;吴奇隆;陈凯轩;张永 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/46;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种光热电分离的倒装LED芯片，在衬底上形成缓冲层，在缓冲层上形成N‑GaN，在N‑GaN上形成有源层，在有源层上形成P‑GaN，依次部分蚀刻P‑GaN和有源层直至裸露部分N‑GaN；在P‑GaN上形成金属反射层，在裸露部分N‑GaN形成欧姆接触层，在金属反射层和欧姆接触层上形成导热绝缘层，导热绝缘层上形成导热金属层、P电极和N电极，P电极穿过导热绝缘层与金属反射层连接，N电极穿过导热绝缘层与欧姆接触层连接。本发明还公开一种光热电分离的倒装LED芯片制作方法。本发明实现LED芯片光、热及电三重分离，出光面无电极挡光，取光效率高，热量由导热金属层导出，增加芯片可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热电 分离 倒装 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种光热电分离的倒装LED芯片，其特征在于：在衬底上形成缓冲层，在缓冲层上形成N‑GaN，在N‑GaN上形成有源层，在有源层上形成P‑GaN，依次部分蚀刻P‑GaN和有源层直至裸露部分N‑GaN；在P‑GaN上形成金属反射层，在裸露部分N‑GaN形成欧姆接触层，在金属反射层和欧姆接触层上形成导热绝缘层，导热绝缘层上形成导热金属层、P电极和N电极，P电极穿过导热绝缘层与金属反射层连接，N电极穿过导热绝缘层与欧姆接触层连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照光电股份有限公司，未经厦门乾照光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610770822.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
