[发明专利]光刻方法有效
| 申请号： | 201610770956.9 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN106226998B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 叶孝蔚;张庆裕;陈建宏;林致安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章侃铱;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种光刻方法，包括：在基板上形成第一图案化阻剂层，上述第一图案化阻剂层包括至少一个开口；在上述第一图案化阻剂层及上述基板上形成一水溶性聚合物层，藉以在上述第一图案化阻剂层及上述水溶性聚合物层的界面发生反应；以及在上述基板上形成第二图案化阻剂层，其中上述第二图案化阻剂层的至少一部分设置于上述第一图案化阻剂层的至少一个开口内或邻接上述第一图案化阻剂层的至少一部分。然后使用上述第一图案化阻剂层与第二图案化阻剂层作为掩模，并蚀刻上述基板。本发明形成出具有整体强化的抗蚀刻性的阻剂图案，可用于形成次微米半导体装置所需的细粒度图形。使用这些材料导致图案化的阻剂层较不倾向于顶部损失、圆角、以及阻剂图案损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻方法，包括：/n在基板上形成第一图案化阻剂层，上述第一图案化阻剂层包括至少一个开口，其中上述第一图案化阻剂层本身含有的酸不足以进行交联反应；/n在上述第一图案化阻剂层和上述基板上形成保护层，其中上述保护层为水溶性聚合物层且包括含硅材料；/n通过施加光照使上述第一图案化阻剂层产生酸，且接着加热使上述酸从上述第一图案化阻剂层扩散到上述第一图案化阻剂层和上述水溶性聚合物层的界面以及使上述水溶性聚合物层中的聚合物分子、原子、和/或硅原子扩散到上述第一图案化阻剂层，进而形成交联层在上述第一图案化阻剂层的内部；以及/n在形成上述交联层之后，在上述基板上形成第二图案化阻剂层，其中上述第二图案化阻剂层的至少一部分设置于上述第一图案化阻剂层的至少一个开口内或邻接上述第一图案化阻剂层的至少一部分。/n
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