[发明专利]一种防止DD99合金单晶叶片产生初熔缺陷的方法有效
| 申请号： | 201610771226.0 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106119748B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 张军;寇录文;方红文;刘文娜;吴娟利;马李朝;梁经纬;宋建兵 | 申请（专利权）人： | 中航动力股份有限公司 |
| 主分类号： | C22F1/10 | 分类号： | C22F1/10;C22F1/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710021*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种防止DD99合金单晶叶片产生初熔缺陷的方法。本发明是在DD99合金单晶叶片高温热处理工艺中增加预处理工艺，预处理是在处理温度以下的10℃～25℃之间取一个温度进行保温，以预先消除合金内部低熔点共晶相。采用预处理后再进行叶片高温热处理时，由于合金内部共晶含量比较少，提高了合金的初熔温度，避免了单晶叶片初熔缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 dd99 合金 叶片 产生 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种防止DD99合金单晶叶片产生初熔缺陷的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：1)将所述DD99合金单晶叶片清洁干净后放入真空热处理炉内；2)经过步骤1)后，以10～12℃/min将炉温升至1000～1200℃，并保温25～40min；3)经过步骤2)后，以2～5℃/min将炉温升至1270～1290℃，并保温100～130min；4)经过步骤3)后，以1～3℃/min将炉温升至1290～1310℃，并保温60～70min；5)经过步骤4)后，在惰性气体气氛下将炉温降至80℃以下。
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