[发明专利]用于减小开关功率损耗的方法和结构有效
申请号: | 201610771969.8 | 申请日: | 2016-08-30 |
公开(公告)号: | CN106486481B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 戴维·阿洛克·吉达尔 | 申请(专利权)人: | 英特矽尔美国有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L29/423;H01L29/78 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;吴启超 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于减小开关功率损耗的方法和结构。一个实施方式涉及一种方法。所述方法包括在基板上方或所述基板中形成第一导电类型的漂移区。所述基板具有第一表面和第二表面。在沟道的第一部分之上形成第一绝缘体,所述第一绝缘体具有第一厚度。在所述沟道的第二部分之上形成第二绝缘体,所述第二绝缘体具有小于所述第一厚度的第二厚度。在所述第一绝缘体之上形成第一栅极。在所述第二绝缘体之上形成第二栅极。在所述基板上方或所述基板中形成第二导电类型的体区。 | ||
搜索关键词: | 用于 减小 开关 功率 损耗 方法 结构 | ||
【主权项】:
一种设备,包括:具有两个表面的基板;位于所述基板上方或所述基板中的第一导电类型的漂移区;位于所述漂移区上方的第一导电类型的漏极;位于所述漂移区上方的具有第一导电类型的源极;位于所述漂移区与所述漏极之间的具有第二导电类型的体区;第二导电类型的沟道,所述沟道具有第一部分和第二部分且所述沟道位于所述漏极与所述源极之间;位于所述沟道的所述第一部分上方的第一绝缘体,所述第一绝缘体具有第一厚度;位于所述沟道的所述第二部分上方的第二绝缘体,所述第二绝缘体具有小于所述第一厚度的第二厚度;位于所述第一绝缘体上方的第一栅极;位于所述第二绝缘体上方的第二栅极,所述第二栅极电耦接至所述源极,并且其中所述漏极、所述源极和所述沟道的每一个的顶表面实质是共面的并且与所述基板的至少一个表面实质上平行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特矽尔美国有限公司,未经英特矽尔美国有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610771969.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件
- 下一篇:具有衬层的鳍型场效应晶体管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的