[发明专利]小立碗藓原丝体快速繁殖方法

摘要

本发明提供小立碗藓原丝体快速繁殖方法，将生长5天的小立碗藓原丝体材料经过机械打磨粉碎继代，设置以BCD培养基为基础培养基的不同钙离子浓度的测试平板，经过打磨继代后接种于各种不同浓度的CaCl₂的BCD培养基平板上，进行生长状态观测，最终确定原丝体生长及分化状态最佳的钙离子浓度。本发明针对小立碗藓的原丝体培养进行了培养及配方的改进实验表明，在控制培养箱温度为23℃，80μmol photons m^‑2s^‑1光强，16小时长日照下，5mM钙离子浓度可获得生长最旺盛、材料最多的植物原丝体，为后期原生质体制备及转化重组实验提供了技术基础。

主权项

1.小立碗藓原丝体快速繁殖方法，取小立碗藓孢子，经过两次植物组织快繁培养后，将继代用的无菌培养小立碗藓材料在23℃，16h光照，8h黑暗，光强80μmol·m‑2s‑1的培养箱中培养1周后，取其植株材料，经机械打磨粉碎后接种于BCD+CaCl2的培养基平板中，CaCl2浓度为5mM，置于23℃，16h光照，8h黑暗，光强80μmol·m‑2s‑1的培养箱中培养一周，期间定期显微镜进行原丝体生长状态观测，并进行原丝体生物量测量和分枝数统计；所述BCD培养基配方为：MgSO4·7H2O 1μM，KH2PO4 18.4μM，KNO3 10μM，FeSO4·7H2O 45μM；CuSO4.5H2O 0.22μM，H3BO3 10μM，CoCl2.6H2O 0.23μM，Na2MoO4·2H2O 0.1μM，ZnSO4·7H2O 0.19μM，MnCl2·4H2O 2μM，KI 0.17μM，酒石酸铵5mM，琼脂0.8％，121℃，20min灭菌。