[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，用于提高半导体装置的性能。在半导体芯片(CP1)内形成有功率MOSFET和用于检测功率MOSFET的电流的感测MOSFET，由功率MOSFET用的源极电极(ES1)形成源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)。源极焊盘(PDS1a)是用于输出在功率MOSFET中流动的电流的焊盘，开尔文焊盘(PDK)是用于检测功率MOSFET的源极电位的焊盘。源极电极(ES1)具有狭缝(SL1)，在俯视视角下，狭缝(SL1)的至少一部分配置在源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)之间。

主权项

一种半导体装置，具有：半导体基板；第一MOSFET，形成于所述半导体基板的主面的第一区域；第二MOSFET，形成于所述半导体基板的所述主面的第二区域；第一源极电极，形成于所述第一区域的上方，并与所述第一MOSFET的源极电连接；第二源极电极，形成于所述半导体基板的所述主面的上方，并与所述第二MOSFET的源极电连接；栅极电极，形成于所述半导体基板的所述主面的上方，并与所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极电连接；漏极电极，形成于所述半导体基板的与所述主面相反一侧的背面，并与所述第一MOSFET的漏极和所述第二MOSFET的漏极电连接；绝缘膜，形成于所述半导体基板的所述主面的上方，并覆盖所述第一源极电极、所述第二源极电极以及所述栅极电极；第一源极焊盘，由从所述绝缘膜的第一开口部露出的所述第一源极电极形成；第二源极焊盘，由从所述绝缘膜的第二开口部露出的所述第一源极电极形成；第三源极焊盘，由从所述绝缘膜的第三开口部露出的所述第二源极电极形成；以及栅极焊盘，由从所述绝缘膜的第四开口部露出的所述栅极电极形成，所述第二MOSFET是用于检测在所述第一MOSFET中流动的电流的元件，在所述半导体基板的所述主面上，所述第二区域的面积比第一区域的面积小，所述第一源极焊盘以及所述第二源极焊盘配置于所述第一区域的上方，所述第一源极焊盘是用于输出在所述第一MOSFET中流动的电流的焊盘，所述第二源极焊盘是用于检测所述第一MOSFET的源极电位的焊盘，所述第一源极电极具有狭缝，在俯视视角下，所述狭缝的至少一部分配置在所述第一源极焊盘和所述第二源极焊盘之间。