[发明专利]一种复合型膜电阻器基板的制备方法在审
申请号: | 201610773440.X | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106380185A | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 曹维常 | 申请(专利权)人: | 安徽斯迈尔电子科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/495;C04B35/48;C04B35/14;C04B35/626;C04B35/64;H01C17/06 |
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地址: | 233400 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种复合型膜电阻器基板的制备方法,其具体制备步骤为(1)将氧化铝、氧化钼、氧化锆、氧化硅颗粒混合,置入粉碎机中,加入混合物等质量的乙醇进行粉碎,粉碎后置入烘干机烘干;(2)将烘干的混合料再置入球磨机中加水球磨处理,后将混合粉料置入烘干机中烘干;(3)再将混合粉料中加入模具中,置入烧结炉中烧结,烧结后,梯度降温冷却;本发明的有益效果是采用两段式粉碎研磨,使粉料更加精细,制备的基板组分更加均匀,并在烧结后采用梯度式冷却,减少基板的裂隙瑕疵。 | ||
搜索关键词: | 一种 复合型 电阻器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种复合型膜电阻器基板的制备方法,其特征在于其具体制备步骤为:(1)将氧化铝、氧化钼、氧化锆、氧化硅颗粒混合,置入粉碎机中,加入混合物等质量的乙醇进行粉碎,粉碎2‑3小时后置入烘干机烘干;(2)将烘干的混合料再置入球磨机中加入混合料1‑2倍质量的水,进行球磨处理,球磨10‑12小时后,将混合粉料置入烘干机中在140‑160℃烘干;(3)再将混合粉料中加入模具中,置入烧结炉中在1600‑1800℃下烧结,烧结60‑80分钟后,先降温至1000℃,再降温至400℃,最后自然冷却。
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