[发明专利]一种HBT制造方法

摘要

本发明公开了一种HBT制造方法，是对半导体基片依次进行发射极台面腐蚀以留出发射极的电极形成区域并露出基极层的电极形成区域并制作基极电极，进行基极台面腐蚀以露出集电极层的电极形成区域并制作集电极电极，于发射极的电极形成区域之外沉积介质层，腐蚀介质层以对基极电极、集电极电极相应的区域开孔，同时制作集电极电极引出线、基极电极引出线以及发射极电极以及进行电极互联布线。相对于现有技术，本方法将发射极电极、基极电极引出线以及集电极电极引出线于同一工序中同时制作，省却了单独的发射极电极制作这一工序，从而降低了制造成本。

主权项

1.一种HBT制造方法，包括提供或形成半导体基片，所述半导体基片包括由下至上依次层叠的衬底、n型集电极层、p型基极层、n型发射极层以及发射极接触层，其特征在于还包括以下步骤：1） 对所述半导体基片进行发射极台面腐蚀以留出发射极的电极形成区域并露出基极层的电极形成区域，于基极层的电极形成区域上制作基极电极；所述基极电极是Ti/Pt/Au金属层，与基极层形成欧姆接触；2）进行基极台面腐蚀以露出集电极层的电极形成区域，于集电极层的电极形成区域上制作集电极电极；所述集电极电极的制作是形成AuGe/Ni/Ag/Au金属层，并于350℃~400℃下退火30~90s以使集电极电极与所述集电极层形成欧姆接触；3）于发射极的电极形成区域之外沉积介质层，腐蚀介质层以对基极电极、集电极电极相应的区域开孔；4）同时制作集电极电极引出线、基极电极引出线以及发射极电极，其中发射极电极与发射极接触层形成欧姆接触；于介质层开孔区域以及发射极的电极形成区域之外覆盖光阻层，进行金属蒸发形成金属层，并通过金属剥离去除光阻层及其之上的金属层，从而形成位于介质层开孔之中并与集电极电极相接的集电极电极引出线、位于介质层开孔之中并与基极电极相接的基极电极引出线以及位于发射极接触层之上的发射极电极；所述金属层是由下至上为Ti/Pt/Au且Ti厚度为40nm~60nm、或Pt/Ti/Pt/Au且底层Pt厚度为5nm~60nm、或AuGe/Ti/Pt/Au且AuGe厚度为30nm~100nm的叠层结构；5）进行电极互联布线。