[发明专利]一种带升降基底的反应装置及碳纳米管制备的方法

摘要

本发明涉及一种带升降基底的反应装置及碳纳米管制备的方法，其包括：一反应室，反应室包括进气口及出气口，生长基底，生长基底设置于反应室内，位于所述进气口及出气口之间，生长基底包括一圆柱框架和包裹在圆柱框架上的碳纳米管催化剂复合层，圆柱框架可旋转的设置于反应室内部，圆柱框架的中心转轴垂直于气流方向，碳纳米管催化剂复合层上具有多个微孔，微孔在碳纳米管催化剂复合层上呈螺旋线状排列，通过碳纳米管催化剂复合层的旋转使反应气体在反应室内流动过程中穿过碳纳米管催化剂复合层的多个微孔，圆柱框架顶部连接有升降装置，通过圆柱状的碳纳米管催化剂复合层和螺旋状布置的微孔可以使碳纳米管随着旋转过程中得到更好的生长环境。

主权项

一种带升降基底的反应装置，其包括：一反应室，所述反应室包括一进气口及一出气口，一生长基底，所述生长基底设置于反应室内，位于所述进气口及出气口之间，其特征在于，所述生长基底包括一圆柱框架和包裹在圆柱框架上的一碳纳米管催化剂复合层，所述圆柱框架可旋转的设置于反应室内部，所述圆柱框架的中心转轴垂直于气流方向，所述碳纳米管催化剂复合层上具有多个微孔，所述微孔在碳纳米管催化剂复合层上呈螺旋线状排列，通过所述碳纳米管催化剂复合层的旋转使所述反应气体在反应室内流动过程中穿过所述碳纳米管催化剂复合层的多个微孔，所述圆柱框架顶部连接有升降装置。