[发明专利]一次成型螺线管线圈微型磁通门的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610774690.5 申请日: 2016-08-31
公开(公告)号: CN106291405B 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 侯晓伟;顾杰斌;刘冰杰;倪大成;王飞;郑良广;陈竹健 申请(专利权)人: 宁波中车时代传感技术有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G01R33/00 分类号: G01R33/00;G01R33/04
代理公司: 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 代理人: 张一平;王莹
地址: 315021 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种一次成型螺线管线圈微型磁通门的制备方法,即分别在两个高阻硅片上进行刻蚀处理,以使得两个高阻硅片键合后能够形成铁芯腔和多个围绕在铁芯腔外周的螺线管腔,并且螺线管腔在至少一个高阻硅片上形成有填充口。两个高阻硅片键合前,在铁芯腔对应在两个高阻硅片上的刻蚀槽内沉积铁芯层,两个高阻硅片键合后,自填充口向螺线管腔内填充线圈材料,从而在螺线管腔中形成螺线管线圈;然后在所述填充口上覆盖保护层并在保护层上开设通至所述螺线管线圈的电极窗口。本发明使用两个高阻硅片键合的方式制备微型磁通门,提高了制备成品率,减少了电镀工艺的毒害性。还可以方便调整铁芯腔的制备厚度,进而使得铁芯层的厚度不受制备工艺的限制。
搜索关键词: 一次 成型 螺线管 线圈 微型 磁通门 制备 方法
【主权项】:
一次成型螺线管线圈微型磁通门的制备方法,其特征在于:选取两个高阻硅片,分别在两个高阻硅片上进行刻蚀处理,以使得两个高阻硅片键合后能够形成一用于成型铁芯的铁芯腔(100)和多个围绕在铁芯腔(100)外周的螺线管腔(200),所述螺线管腔(200)在键合后的两个高阻硅片中的至少一个高阻硅片上形成有填充口(300);两个高阻硅片键合前,将绝缘层(101)和铁芯层(102)沉积在铁芯腔(100)对应在两个高阻硅片上的刻蚀槽内以使得两个高阻硅片键合后铁芯层(102)夹设在绝缘层(101)之间;在螺线管腔(200)对应在两个高阻硅片上的刻蚀槽的内壁上沉积绝缘层(101),两个高阻硅片键合后,自所述填充口(300)向所述螺线管腔(200)内填充线圈材料,从而在螺线管腔(200)中形成螺线管线圈(201);然后在所述填充口(300)上覆盖保护层(400)并在保护层(400)上开设通至所述螺线管线圈(201)的电极窗口(401)。
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