[发明专利]一种发光二极管的制作方法有效
| 申请号： | 201610775319.0 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106449922B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 夏章艮;王锋;林素慧;彭康伟;洪灵愿;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：提供一衬底，外延生长发光外延层，由N型半导体层、发光层以及P型半导体层堆叠而成，定义发光外延层上表面分为P型区域与N型区域；在发光外延层上形成金属膜层；采用快速热退火处理，使得金属膜层发生球聚，形成金属颗粒；在发光外延层及金属颗粒上形成掩膜层，并对掩膜层进行图案化，使得N型区域裸露出来；采用金属颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，使得N型区域蚀刻至N型半导体层裸露出来，并将N型半导体层的上表面粗化；去除掩膜层，并保留P型半导体层上的金属颗粒，进行芯片制程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：（1）提供一衬底，外延生长发光外延层，由N型半导体层、发光层以及P型半导体层堆叠而成，定义发光外延层上表面分为P型区域与N型区域；（2）在发光外延层上形成金属膜层；（3）采用快速热退火处理，使得金属膜层发生球聚，形成金属颗粒；（4）在发光外延层及金属颗粒上形成掩膜层，并对掩膜层进行图案化，使得N型区域裸露出来；（5）采用金属颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，藉由金属颗粒与半导体层的不同蚀刻速率比，使得N型区域蚀刻至N型半导体层裸露出来，同时将N型半导体层的上表面粗化；（6）去除掩膜层，并保留P型半导体层上的金属颗粒，进行芯片制程。
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