[发明专利]刻蚀方法、刻蚀装置及半导体晶圆分割方法在审
| 申请号： | 201610778104.4 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107799413A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/67;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀方法、刻蚀装置及半导体晶圆分割方法。其中一种半导体晶圆分割方法包括如下步骤提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆上形成有多个集成电路，所述多个集成电路之间设有间隙；利用利用喷嘴发射激光并喷出等离子体刻蚀气体对所述多个集成电路之间的间隙进行刻蚀，使所述多个集成电路一一分离。本发明提出了利用利用喷嘴发射激光并喷出等离子体刻蚀气体进行刻蚀的方法及装置，从而可利用该方法及装置实现半导体晶圆的分割。本发明的半导体晶圆分割方法避免了采用传统切割刀划片造成的应力，有效减少了划片造成的崩边、碎片等问题，适用于薄晶圆的划片分割，并且方法简单、快速、高效。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 装置 半导体 分割 | ||
【主权项】：
一种刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：利用喷嘴发射激光并喷出等离子体刻蚀气体对标的材料需要刻蚀的区域进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
