[发明专利]薄膜微带滤波器的制作方法在审

专利信息
申请号: 201610779622.8 申请日: 2016-08-31
公开(公告)号: CN106357231A 公开(公告)日: 2017-01-25
发明(设计)人: 洪火锋;王秀平;蔡庆刚;赵影;陈在;何宏玉 申请(专利权)人: 安徽华东光电技术研究所
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司11283 代理人: 张苗,罗攀
地址: 241000 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种薄膜微带滤波器的制作方法,包括步骤a、选择陶瓷基片;步骤b、根据滤波器指标要求进行电路的仿真并完成电路图形设计;步骤c、基片镀膜处理;步骤d、通过光刻处理将滤波器图形转移到基片上;步骤e、对基片进行电镀处理将滤波器图形层增厚;步骤f、去除步骤d中光刻处理后在基片上留有的光刻胶;步骤g、对基片进行刻蚀处理以去除基片正表面滤波器图形以外的所有金属层;步骤h、去除步骤g中刻蚀后基片表面残留的刻蚀溶液;步骤i、将整个基片按照滤波器外形切割成单个的个体;步骤j、装配滤波器并测试滤波器指标。该薄膜微带滤波器的制作方法制作合格率高、成本低,操作简单并且适合大批量生产以提高生产效率。
搜索关键词: 薄膜 微带 滤波器 制作方法
【主权项】:
一种薄膜微带滤波器的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:步骤a、选择陶瓷基片;步骤b、根据滤波器指标要求进行电路的仿真并完成电路图形设计;步骤c、基片镀膜处理;步骤d、通过光刻处理将滤波器图形转移到基片上;步骤e、对基片进行电镀处理将滤波器图形层增厚;步骤f、去除步骤d中光刻处理后在基片上留有的光刻胶;步骤g、对基片进行刻蚀处理以去除基片正表面滤波器图形以外的所有金属层;步骤h、去除步骤g中刻蚀后基片表面残留的刻蚀溶液;步骤i、将整个基片按照滤波器外形切割成单个的个体;步骤j、装配滤波器并测试滤波器指标。
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