[发明专利]电压隔离采样电路有效
| 申请号： | 201610780604.1 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106383258B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 朱海东 | 申请（专利权）人： | 苏州迈力电器有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 黄冠华 |
| 地址： | 215151 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电压隔离采样电路，包括第一MOS管、隔离变压器、第一电阻、第一电感、第一二极管、第一电容、第二电阻、第三电阻和MCU，第一MOS管的栅极输入PWM控制信号，隔离变压器初级线圈的一端接入输入电压，另一端与第一MOS管的漏极连接，隔离变压器次级线圈的一端接第一电压，隔离变压器次级线圈的一端还依次通过第一电阻和第一电感与第一二极管的一端连接，第一二极管的另一端分别与第一电容的一端和第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端与第三电阻的一端连接，第二电阻的另一端输出隔离采样电压到MCU，第一电容的另一端和第三电阻的另一端均接地。本发明的电路结构简单、成本较低、抗干扰能力较强、使用范围较广。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 隔离 采样 电路 | ||
【主权项】：
1.一种电压隔离采样电路，其特征在于，包括第一MOS管、隔离变压器、第一电阻、第一电感、第一二极管、第一电容、第二电阻、第三电阻和MCU，所述第一MOS管的栅极输入PWM控制信号，所述隔离变压器的初级线圈的一端接入输入电压，所述隔离变压器的初级线圈的另一端与所述第一MOS管的漏极连接，所述第一MOS管的源极接地，所述隔离变压器的次级线圈的一端接第一电压，所述隔离变压器的次级线圈的一端还依次通过所述第一电阻和第一电感与所述第一二极管的一端连接，所述第一二极管的另一端分别与所述第一电容的一端和第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述第三电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端输出隔离采样电压到所述MCU，所述第一电容的另一端和第三电阻的另一端均接地；PWM控制信号控制第一MOS管处于开关状态，当第一MOS管导通时，第一电压为高电平，第一电压通过第一电阻、第一电感和第一二极管给第一电容充电；当第一MOS管关闭时，第一电容通过第二电阻和第三电阻进行放电；通过调节参数第一电阻、第一电感、第一电容、第二电阻和第三电阻的值，使得隔离采样电压与第一电压保持线性关系；还包括第二电容，所述第二电容的一端与所述第二电阻的另一端连接，所述第二电容的另一端接地。
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