[发明专利]NMOS晶体管、PMOS晶体管、CMOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610781303.0 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206740B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 郑俊丰 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种NMOS晶体管，其包括：依次在基板上的遮光层、缓冲层、第一绝缘层和石墨烯层；分别位于第一绝缘层两侧的多晶硅层，多晶硅层包括未掺杂部、N型轻掺杂部及N型重掺杂部；在缓冲层上且覆盖多晶硅层和石墨烯层的第二绝缘层；在第二绝缘层上的第一栅极和第二栅极；在第二绝缘层上且覆盖第一栅极和第二栅极的第三绝缘层；在第三绝缘层上的源极和漏极；源极和漏极分别与两N型重掺杂部接触。由于石墨烯的迁移率高，能够大幅度提高TFT的响应速度，且减少栅极用量，从而降低金属层的表面积，提高TFT的开口率。此外，采用两侧双栅极模式，能够降低TFT的漏电流，且石墨烯的导电性具有各向异性，垂直方向上导电率低，可以进一步地降低栅极漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 晶体管 pmos cmos 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种NMOS晶体管，其特征在于，包括：在基板上的遮光层以及覆盖所述遮光层的缓冲层；在所述缓冲层上的第一绝缘层以及在所述第一绝缘层上的石墨烯层；分别位于所述第一绝缘层两侧的多晶硅层，所述多晶硅层沿着远离所述石墨烯层的方向顺序包括与所述石墨烯层接触的未掺杂部、与所述未掺杂部接触的N型轻掺杂部以及与所述N型轻掺杂部接触的N型重掺杂部；在所述缓冲层上且覆盖所述多晶硅层和所述石墨烯层的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上且彼此间隔的第一栅极和第二栅极；在所述第二绝缘层上且覆盖所述第一栅极和所述第二栅极的第三绝缘层；在所述第三绝缘层上的源极和漏极；所述源极贯穿所述第三绝缘层和所述第二绝缘层与两N型重掺杂部之一接触，所述漏极贯穿所述第三绝缘层和所述第二绝缘层与两N型重掺杂部之另一接触。
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