[发明专利]一种R-Fe-B类烧结磁体的制造方法

摘要

本发明专利公开了一种R‑Fe‑B类烧结磁体的制造方法。其主要步骤包括：准备R‑Fe‑B类烧结磁体作为基体；在基体表面布置包括金属镝、氢化镝、铽、氢化铽的至少一种重稀土RHX层,在RHX层上布置包含氟化镨、氟化钕、氧化镨、氧化钕至少一种的RLF层；在扩散炉内加热处理，使重稀土RHX通过基体表面扩散至磁体内部。本发明通过在磁体重稀土RHX层外布置氟化镨、氟化钕、氧化镨、氧化钕涂层的RLF层，一方面实现磁体在扩散过程中可以相互堆叠放置防止粘连的作用，另一方面保护重稀土RHX层扩散过程不被氧化，防止重稀土RHX层在磁体表面被氧化影响扩散效果，并且可以防止扩散过程中基体R‑Fe‑B磁体中R元素的挥发，保证磁体的剩磁几乎不降低。

主权项

1.一种R-Fe-B类烧结磁体的制造方法，包括：1）制备R1-Fe-B-M烧结磁体，其中，R1选自稀土元素Nd、Pr、Tb、Dy、Gd、La、Ho中任意一种或几种，R1含量为26wt%～33wt%；B含量为0.8wt%～1.2wt%；M选自Ti、V、Cr、Co、Ga、Cu、Mn、Si、Al、Zr、W、Mo中的任意一种或几种，含量0～4wt%；余量为Fe；2）将所述烧结磁体依次采用去离子水洗涤、酸溶液处理、干燥处理，得到受处理磁体；3）在受处理磁体表面布置重稀土RHX层，在重稀土RHX层外布置一层RLF层,形成受处理单元,其中：所述RHX为镝、氢化镝、铽、氢化铽的任意一种或几种的混合物，所述RLF为氟化镨、氟化钕、氧化镨、氧化钕的至少一种；4）将3）中所述受处理单元置于烧结炉内在真空或惰性气体保护条件下进行扩散处理，扩散温度为800℃～1000℃，扩散时间2～50小时，在扩散结束后，对磁体进行时效处理，时效温度为450～580℃范围内，时效时间为4～6小时。