[发明专利]一种提高清洗效率的湿法清洗水槽及其清洗方法在审
| 申请号： | 201610781640.X | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106128983A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 宋振伟;徐友峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高清洗效率的湿法清洗水槽及其清洗方法，通过在水槽底部两侧及中间位置设置第一‑第四进液管，使第一、第二进液管与第三、第四进液管交替开启和关闭，在水槽内的两侧和中间位置分别相向进行交替间断喷水，以增加水流的波动性，提高水槽内流经芯片表面的水流速度，且不会破坏芯片表面的脆弱图形，从而提高了清洗效果和清洗效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 清洗 效率 湿法 水槽 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种提高清洗效率的湿法清洗水槽，其特征在于，所述水槽的底部设有第一‑第四进液管，用于向水槽内进行喷水，并使水流在水槽内从下到上作溢流流动；其中，第一、第二进液管分设于水槽的底部两侧，其进液方向为指向水槽的中间，第三、第四进液管并列设于水槽的底部中间，其进液方向为指向水槽的两侧；通过使第一、第二进液管与第三、第四进液管交替开启和关闭，在水槽内的两侧和中间位置分别相向进行交替间断喷水，以增加水流的波动性，提高水槽内流经芯片表面的水流速度，从而提高清洗效果和清洗效率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
