[发明专利]占空比校准电路

摘要

本发明提供一种占空比校准电路，其包括驱动电路和占空比检测电路。驱动电路包括MOS管M5和M6，占空比检测电路包括MOS管M1、M3、M0和M2，通过同步调整MOS管M1和M3的有效驱动能力，直到找到使MOS管M1的有效驱动能力发生最小变化，就会导致占空比检测电路输出的检测电平发生翻转的相邻的有效驱动能力值A和B。当MOS管M1的有效驱动能力分别为A和B时，MOS管M1和M0的有效驱动能力的比例分别为第一比值和第二比值。调整MOS管M6的有效驱动能力，使得MOS管M6与M5的有效驱动能力的比例等于第一比值或第二比值。占空比检测电路采用与驱动电路相似的电路结构，故可以实现快速、高精确度的占空比校准。

主权项

1.一种占空比校准电路，其特征在于，其包括：驱动电路，其包括MOS管M5和有效驱动能力可调整的MOS管M6，其中，MOS管M6的源极与第一连接端相连，MOS管M6的漏极与MOS管M5的漏极相连，MOS管M5的源极接第二连接端；MOS管M6的漏极与MOS管M5的漏极之间的连接节点与所述驱动电路的输出端相连，MOS管M6的栅极与MOS管M5的栅极均与所述驱动电路的输入端相连；所述驱动电路的输入端与输入信号相连，所述驱动电路基于输入信号产生并输出驱动信号；占空比检测电路包括有效驱动能力可调整的MOS管M1和M3，以及MOS管M0和M2，其中，MOS管M1和M3相同，MOS管M0和M2相同，MOS管M1的源极与第一连接端相连，MOS管M1的漏极与MOS管M0的漏极相连，MOS管M0的源极接第二连接端，MOS管M1的漏极和MOS管M0的漏极之间的连接节点称为节点a，节点a与MOS管M3的栅极相连；MOS管M3的源极与第一连接端相连，MOS管M3的漏极与MOS管M2的漏极相连，MOS管M2的源极接第二连接端，MOS管M3的栅极和MOS管M2的栅极相连，MOS管M3的漏极和MOS管M2的漏极之间的连接节称为节点b；MOS管M1的栅极与节点b相连，MOS管M0的栅极与占空比检测电路的输入端相连，占空比检测电路的输入端与输入信号相连，节点b与占空比检测电路的输出端相连，当所述占空比检测电路开始检测工作时，将输入信号置为第一电平，使MOS管M0和M1将形成竞争，同步调整MOS管M1和M3的有效驱动能力，若MOS管M0的有效驱动能力强于MOS管M1，则占空比检测电路输出第一检测电平；若MOS管M0的有效驱动能力弱于MOS管M1，则占空比检测电路输出第二检测电平，通过同步调整MOS管M1和M3的有效驱动能力，以寻找最佳占空比配置，直到找到使MOS管M1的有效驱动能力发生最小变化，就会导致占空比检测电路输出的检测电平发生翻转的两个相邻的有效驱动能力值A和B，其中，当MOS管M1的有效驱动能力为A时，MOS管M1和M0的有效驱动能力的比例为第一比值，当MOS管M1的有效驱动能力为B时，MOS管M1和M0的有效驱动能力的比例为第二比值；调整MOS管M6的有效驱动能力，使得MOS管M6与M5的有效驱动能力的比例等于第一比值或第二比值。