[发明专利]一种高低压转化集成电路有效
| 申请号： | 201610784269.2 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106292823B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈奇辉;盛云 | 申请（专利权）人： | 苏州纳芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/571 | 分类号： | G05F1/571 |
| 代理公司： | 苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙) 32266 | 代理人： | 马丽丽 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高低压转换集成电路，包括放大器和带隙基准，放大器的正相输入端与电阻R3和电阻R4的分压相连，其反相输入端与带隙基准的输出端相连，外部器件包括电阻R1和双极型三极管N1，内部电路采用堆叠的MOS管M1和MOS管M2；电阻R1的一端与双极型三极管N1的集电极与输入的高压VIN相连，其另一端与双极型三极管N1的基极以及MOS管M1的漏极相连，双极型三极管N1的发射极与输出的低压VOUT相连；MOS管M1的栅极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与输出低压VOUT相连以防止静电放电，MOS管M1的源极与MOS管M2的漏极相连，MOS管M2的栅极与放大器的输出端相连，MOS管M2的源极与地相连。本发明大大降低了集成电路制造的成本，也提高了电路的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 转化 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种高低压转换集成电路，包括放大器(10)和带隙基准(20)，所述放大器(10)的正相输入端与电阻R3和电阻R4的分压相连，其反相输入端与带隙基准(20)的输出端相连，其特征在于，外部器件包括电阻R1和双极型三极管N1，内部电路采用堆叠的MOS管M1和MOS管M2，两个堆叠的MOS管M1和MOS管M2，输出高于VOUT的双极型三极管的基极控制电压，且两个堆叠的MOS管均采用非高压器件；所述电阻R1的一端与双极型三极管N1的集电极与输入的高压VIN相连，其另一端与双极型三极管N1的基极以及MOS管M1的漏极相连，双极型三极管N1的发射极与输出的低压VOUT相连；所述MOS管M1的栅极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与输出低压VOUT相连，MOS管M1的源极与MOS管M2的漏极相连，MOS管M2的栅极与放大器(10)的输出端相连，MOS管M2的源极与地相连；该电路构成一个稳定的负反馈系统，通过放大器(10)的输入检测带隙基准(20)产生的参考电压与电阻R3和电阻R4的分压之间的误差,调整放大器(10)的输出，使输出的低压VOUT稳定在目标值上。
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