[发明专利]一种石墨烯基场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610784972.3 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106206683A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 邓吨英;王洋;冯硕;石珉滈 | 申请（专利权）人： | 湖南航天新材料技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/43;H01L29/66;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 郭立中;蒋尊龙 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯基场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包含衬底、沟道层、源极、漏极和栅极，沟道层为通过3D打印形成的石墨烯基沟道层，源极、漏极为通过3D打印形成的石墨烯基源极、漏极。本发明的石墨烯基场效应晶体管中，源极和漏极与沟道层都是通过3D打印石墨烯基导电及半导体墨水形成，表面特性类似，源极和漏极与沟道层间附着力优于金属电极，还可以避免肖特基势垒的形成，进而大幅度降低接触电阻。并且，其工艺过程简单，完全使用3D打印技术，无污染、低耗能，所有的工艺可以应用到卷对卷的工艺上，降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯基场效应晶体管的制备方法，该场效应晶体管包含衬底、沟道层、源极、漏极和栅极，其特征在于，沟道层是通过3D打印形成的石墨烯基沟道层，源极和漏极是通过3D打印形成的石墨烯基源极、漏极。
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