[发明专利]LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201610785105.1 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106206901A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王磊;陈立人;李庆 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片包括衬底，位于衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层，以及与N型半导体层和P型半导体层分别电性连接的N电极和P电极，所述LED芯片包括刻蚀至N型半导体层的N型台面及若干N型电极槽，N型电极槽的侧壁及P型半导体层上方设有横跨N型电极槽的绝缘介质层，所述绝缘介质层上形成有连接N性电极槽底部与N型半导体层电性连接的第一透明导电层，所述N型台面上设有第一N电极，N型电极槽中的第一透明导电层上设有第二N电极，第一N电极和第二N电极通过第一透明导电层电性连接。本发明LED芯片中电流密度分布均匀，提高了LED芯片的发光性能，且有效增大了有源层的面积，提高了芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底，位于衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层，以及与N型半导体层和P型半导体层分别电性连接的N电极和P电极，其特征在于，所述LED芯片包括刻蚀至N型半导体层的N型台面及若干N型电极槽，N型电极槽的侧壁及P型半导体层上方设有横跨N型电极槽的绝缘介质层，所述绝缘介质层上形成有连接N性电极槽底部与N型半导体层电性连接的第一透明导电层，所述N型台面上设有第一N电极，N型电极槽中的第一透明导电层上设有第二N电极，第一N电极和第二N电极通过第一透明导电层电性连接。
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