[发明专利]一种矿用MEMS风速计电绝缘自清洁封装方法在审
| 申请号： | 201610785127.8 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106338617A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王任鑫;张国军;任子明;白冰;贾传令;薛晨阳 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01P5/08 | 分类号： | G01P5/08 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及矿用MEMS风速计，具体是一种矿用MEMS风速计电绝缘自清洁封装方法。一种矿用MEMS风速计电绝缘自清洁封装方法，包括以下步骤（a）Parylene薄膜淀积在矢量风速计外表面上采用CVD方法淀积2微米厚的Parylene薄膜；（b）利用ICP刻蚀机对Parylene薄膜进行加工，采用SF6进行等离子体处理，在Parylene薄膜表面就形成高疏水表面。本发明利用Parylene薄膜的绝缘性，基于仿荷叶自洁效应的疏水处理方式，然后采用SF6等离子处理在Parylene薄膜表面形成高疏水表面，实现了微结构的电绝缘自清洁，具有一致性好、可批量加工的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 风速计 绝缘 清洁 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种矿用MEMS风速计电绝缘自清洁封装方法，其特征在于，包括以下步骤：（a）Parylene薄膜淀积：在压焊引线并集成纤毛的矢量风速计外表面上采用CVD方法淀积2微米厚的Parylene薄膜；（b）利用ICP刻蚀机对Parylene薄膜进行加工，具体步骤为：采用SF6进行等离子体处理，ICP刻蚀机的设置如下：腔室压力设为30mt，上下电极射频功率分别为700w和45w，SF6的流量为90sccm，在20℃的温度下经过420s即可完成刻蚀，此时在Parylene薄膜表面就形成高疏水表面。
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