[发明专利]一种宽入射角相位延迟器在审
| 申请号： | 201610785189.9 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106154389A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 肖志全 | 申请（专利权）人： | 武汉优光科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种宽入射角相位延迟器，延迟器由两种晶体材料制作的相位延迟片构成，所述两种晶体材料分别为正单轴晶体和负单轴晶体，两种单轴晶体的光轴方向正交且快轴方向一致，光正入射时，正单轴晶体产生延迟量R1，负单轴晶体产生延迟量R2，光以一定角度入射时，正单轴晶体产生延迟量R1+d1，负单轴晶体产生的延迟量R2+d2，延迟量d1和延迟量d2数值相等、方向相反。本发明的一种宽入射角相位延迟器，利用不同特性的晶体产生不同的补偿量的特性，可以适用较高级次波片，角度带宽显著优于普通的单材料波片；此外，本发明提供的相位延迟器结构简单，适用接收角大，可以适用于需要将圆偏振光精密聚焦的场合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 入射角 相位 延迟 | ||
【主权项】：
一种宽入射角相位延迟器，其特征在于，延迟器由两种晶体材料制作的相位延迟片构成，所述两种晶体材料分别为正单轴晶体和负单轴晶体，两种单轴晶体的光轴方向正交且快轴方向一致，光正入射时，正单轴晶体产生延迟量R1，负单轴晶体产生延迟量R2，光以一定角度入射时，正单轴晶体产生延迟量R1+d1，负单轴晶体产生的延迟量R2+d2，延迟量d1和延迟量d2数值相等、方向相反。
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