[发明专利]一种超宽带复合消色差相位延迟片在审
| 申请号： | 201610785207.3 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106226857A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 肖志全 | 申请（专利权）人： | 武汉优光科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超宽带复合消色差相位延迟片，其特征在于：由基底上依次胶合单轴晶体一体构成，基底上胶合三种单轴晶体，三种单轴晶体分别为石英晶体、单晶蓝宝石晶体和氟化镁晶体，通过三种晶体的厚度及光轴方向的组合，即对于1/2延迟片的延迟量设计波长范围变化小于±1/100波长，对于1/4延迟片的延迟量设计波长范围变化小于±1/200波长，实现380nm‑1100nm范围内延迟量变化范围不超过设计值的1/50。本发明由三种具有较低双折射特性的单轴晶体构成，通过三种晶体的厚度及光轴方向的组合，可以实现380nm‑1100nm范围内延迟量变化范围不超过设计值得1/50，三种晶体材料互相补偿，使延迟器件的延迟精度在整个硅探测器的响应范围内具有良好的延迟特性，在高端光谱应用中具有极好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽带 复合 色差 相位 延迟 | ||
【主权项】：
一种超宽带复合消色差相位延迟片，其特征在于：由基底上依次胶合单轴晶体一体构成，基底(1)上胶合三种单轴晶体，三种单轴晶体分别为石英晶体(2)、单晶蓝宝石晶体(3)和氟化镁晶体(4)，通过三种晶体的厚度及光轴方向的组合，即对于1/2延迟片的延迟量设计波长范围变化小于±1/100波长，对于1/4延迟片的延迟量设计波长范围变化小于±1/200波长，实现380nm‑1100nm范围内延迟量变化范围不超过设计值的1/50。
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