[发明专利]一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法，所述电池包括依次层叠的ITO层、a‑Si p层、a‑Si i层、基底、a‑Si i层、a‑Si n层和ITO层，以及在ITO层和a‑Si p层间插入高掺杂的a‑Si p+层，或在ITO层和a‑Si n层间插入高掺杂的a‑Si n+层。所述方法将基底在等离子增强化学气相沉积设备中，分步进行异质结太阳能电池的a‑Si i层、a‑Si n层和a‑Si p层沉积；在电池的a‑Si p/ITO层界面或a‑Si n/ITO层界面中沉积高掺杂的a‑Si p+层或高掺杂的a‑Si n+；最后沉积ITO电极得到硅基异质结太阳能电池。

主权项

1.一种单晶硅基异质结太阳能电池，其特征在于，包括依次层叠的ITO层、a‑Si p层、a‑Si i层、基底、a‑Si i层、a‑Si n层和ITO层，以及在ITO层和a‑Si p层间插入高掺杂的a‑Si p+层，或在ITO层和a‑Si n层间插入高掺杂的a‑Si n+层；在a‑Si p+层和a‑Si p层的两层间或是a‑Si n+层和a‑Si n层的两层间插入光电增强材料；光电增强材料采用有表面等离子体效应的纳米颗粒或有纳米厚度的介电材料薄膜；纳米颗粒采用Ag、Cu、Al、Pt和Pd金属纳米颗粒的一种，或Au、Ag、Cu、Al、Pt和Pd金属纳米颗粒任意几种的组合；介电材料薄膜采用本征或掺杂的硅基薄膜；所述的硅基薄膜包括非晶硅薄膜，微晶硅薄膜，纳晶硅薄膜，多晶硅薄膜，氢化非晶硅锗薄膜中的一种或几种。