[发明专利]具有调压功能的充电电路在审

专利信息
申请号: 201610785582.8 申请日: 2016-08-31
公开(公告)号: CN106208301A 公开(公告)日: 2016-12-07
发明(设计)人: 朱海东 申请(专利权)人: 苏州迈力电器有限公司
主分类号: H02J7/10 分类号: H02J7/10
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人: 黄冠华
地址: 215000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及充电电路技术领域,特别是指一种具有调压功能的充电电路,包括电连接的充电电路和调压电路,通过在充电电路中增设调压电路,使得该充电器使用不同规格的电子设备,使用更加灵活,使用范围更广;另外,采用MOS结构,由于MOS管体较小、功耗小、速度高、适用于集成,切电路结构简单,发热量小,对充电电路的影响较小,能够保证充电电路正常运行。
搜索关键词: 具有 调压 功能 充电 电路
【主权项】:
一种具有调压功能的充电电路,其特征在于,包括电连接的充电电路和调压电路,所述调压电路包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第一电阻和第二电阻;所述第一PMOS晶体管的源极连接至电压源,栅极连接至第二NMOS晶体管的漏极、第二PMOS晶体管的栅极和漏极,漏极连接至第一NMOS晶体管的漏极和第三PMOS晶体管的栅极;所述第二PMOS晶体管的源极连接至电压源;所述第三PMOS晶体管的源极连接至电压源,漏极连接至第三NMOS晶体管的漏极、充电电路输入端;所述第一NMOS晶体管的栅极连接至参考电压输入端,源极连接至第四NMOS晶体管的漏极和第二NMOS晶体管的源极;所述第二NMOS晶体管的栅极分别通过第一电阻和第二电阻连接至充电电路输入端并接地;所述第三NMOS晶体管的栅极和第四NMOS晶体管的栅极均连接至电压输入端,第三NMOS晶体管的源极和第四NMOS晶体管的源极均接地。
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