[发明专利]一种用于NANDFLASH生产阶段的烧写方法及其烧写系统在审

专利信息
申请号: 201610785837.0 申请日: 2016-08-31
公开(公告)号: CN106339246A 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 吴旋 申请(专利权)人: 福建联迪商用设备有限公司
主分类号: G06F9/445 分类号: G06F9/445;G11C29/04;G11C29/00
代理公司: 福州市博深专利事务所(普通合伙)35214 代理人: 林志峥
地址: 350000 福建省福州市鼓*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及PC领域,特别涉及一种用于NANDFLASH生产阶段的烧写方法。包括以下步骤S1PC端烧片程序发送终端烧片程序到终端的NANDFLASH中;S2所述终端烧片程序检测NANDFLASH中的坏块分布,发送所述坏块分布到PC端烧片程序;S3PC端烧片程序根据收到的坏块分布和预置的第一分区表,所述第一分区表描述每个分区实际需要使用的区域大小;算出每个分区实际占用的区域大小,从而生成用于这个分区的第二分区表;S4PC端烧片程序根据第二分区表依次在终端的NANDFLASH中烧写入每个分区的镜像。既保证了生产质量,又提高了存储空间利用率,控制了成本。
搜索关键词: 一种 用于 nandflash 生产 阶段 方法 及其 系统
【主权项】:
一种用于NANDFLASH生产阶段的烧写方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:PC端烧片程序发送终端烧片程序到终端的NANDFLASH中;S2:所述终端烧片程序检测NANDFLASH中的坏块分布,发送所述坏块分布到PC端烧片程序;S3:PC端烧片程序根据收到的坏块分布和预置的第一分区表,所述第一分区表描述每个分区实际需要使用的区域大小;算出每个分区实际占用的区域大小,从而生成用于这个分区的第二分区表;S4:PC端烧片程序根据第二分区表依次在终端的NANDFLASH中烧写入每个分区的镜像。
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