[发明专利]一种OR-ing MOSFET故障在线检测的方法及系统有效

专利信息
申请号: 201610785982.9 申请日: 2016-08-31
公开(公告)号: CN106199369B 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: 舒有进;徐云中;李银贵;刘翠梅;何海霞;杨嗣珵 申请(专利权)人: 烽火通信科技股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 代理人: 王卫东
地址: 430074 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种OR‑ing MOSFET故障在线检测的方法及系统,该方法包括:将OR‑ing MOSFET栅极驱动关闭,检测VD‑S;将VD‑S与预设故障门限电压比较,判断是否有外部中断,如果是,则触发定时器开始计时,否则,MCU本地故障报警,上报OR‑ing MOSFET失效,同时OR‑ing MOSFET驱动开启;OR‑ing MOSFET驱动关闭持续时间到时后,栅极驱动重新开启,VD‑S小于100mV,电平翻转,触发MCU外部中断,定时器结束计时;判断定时器的计数时间是否大于OR‑ing MOSFET驱动关闭持续时间的一半,若是,MCU本地正常显示,上报OR‑ing MOSFET正常,否则进行新一轮的检测。本发明减小了维护人员的工作量、减小了OR‑ing MOSFET故障给电源系统的运行安全带来的隐患,提高了电源系统运行的安全性和可靠性以及电源系统的维护效率,大大降低了维护成本。
搜索关键词: 一种 or ing mosfet 故障 在线 检测 方法 系统
【主权项】:
1.一种OR‑ing MOSFET故障在线检测的方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、OR‑ing MOSFET正常运行过程中,MCU下发指令将OR‑ing MOSFET的栅极驱动关闭,并检测OR‑ing MOSFET的VD‑S两端电压;S2、将检测到的VD‑S两端电压与预设的故障门限电压进行比较,判断是否有外部中断产生,如果是,转S3;否则,转S7;S3、触发中断定时器,中断定时器开始计时;S4、OR‑ing MOSFET驱动关闭持续时间到达预设时间后,OR‑ing MOSFET的栅极驱动重新开启,将VD‑S两端电压与故障门限电压比较后,电平翻转,触发MCU的外部中断,中断定时器结束计时;S5、判断中断定时器的计数时间是否大于OR‑ing MOSFET驱动关闭持续时间的一半,若是,转S6;否则,转S1;S6、MCU本地正常显示,上报OR‑ing MOSFET正常,转S8;S7、MCU本地故障报警,上报OR‑ing MOSFET失效,同时OR‑ing MOSFET驱动开启;S8、结束。
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