[发明专利]一种晶体硅系太阳能电池及其表面纳米复合结构制备方法

摘要

本发明一种晶体硅系太阳能电池及其表面纳米复合结构制备方法，方法简单，一步合成，成本低质量高，显著提高电池的性能。所述的方法是在晶体硅系太阳能电池表面已有结构上利用等离子体增强化学气相沉积方法制备金属纳米颗粒。所述电池的表面为由本发明所述方法制备得到的纳米复合结构。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)通过气体的等离子放电产生活性基团来促进纳米金属颗粒生成的反应，纳米金属颗粒一步合成，并能够均匀的将其布置在晶体硅表面，通过优化锗量子点的沉积时间、沉积温度以及氢稀释比，使沉积工艺组合达到左右。最优沉积工艺下得到锗量子点，经氢等离子体处理，钝化锗量子点表面悬挂键，修饰表面形貌，使其分散均匀。

主权项

1.一种晶体硅系太阳能电池的表面纳米复合结构制备方法，其特征在于，在晶体硅系太阳能电池表面已有结构上，利用等离子体增强化学气相沉积方法制备尺寸在1纳米到500纳米之间的锗纳米颗粒，进行表面修饰形成纳米尺度质构；等离子体增强化学气相沉积方法使用的前躯体气体包括锗烷和氢气；通过气体的等离子放电产生活性基团来促进锗纳米金属颗粒生成的反应，锗纳米金属颗粒一步合成，并能够均匀的将其布置在晶体硅表面，得到锗量子点；制备锗纳米颗粒时保持与锗纳米颗粒沉积时相同的功率，在氢气气氛中，通过氢等离子体对锗纳米颗粒进行表面修饰，钝化锗量子点表面悬挂键，修饰表面形貌，使其分散均匀。