[发明专利]半色调相移光掩模坯、制造方法和半色调相移光掩模有效
申请号: | 201610786641.3 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106483757B | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 高坂卓郎 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 杜丽利 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供半色调相移光掩模坯,其包括透明基材和其上的具有150‑200°的相移和9‑40%的透射率的半色调相移膜。该半色调相移膜由过渡金属、Si、O和N组成,具有至少3at%的平均过渡金属含量,并且由多个层组成,该多个层包括具有至少3at%的氧含量的应力松弛层和至少5at%的较高氧含量的相移调节层。 | ||
搜索关键词: | 色调 相移 光掩模坯 制造 方法 光掩模 | ||
【主权项】:
半色调相移光掩模坯,包括透明基材和在其上相对于波长200nm以下的光提供9%‑40%的透射率和150°‑200°的相移的半色调相移膜,其中所述半色调相移膜由过渡金属、硅、氧和氮组成,具有至少3at%的平均过渡金属含量,并且由多个层组成,该多个层包括至少一个由该过渡金属、硅、氧和氮组成的应力松弛层和至少一个由该过渡金属、硅、氧和氮组成的相移调节层,所述应力松弛层具有最低的至少3at%的氧含量,所述相移调节层具有比该应力松弛层的氧含量高至少2at%的至少5at%的氧含量。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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