[发明专利]一种超宽带氮化镓器件小信号模型及其参数提取方法

摘要

本发明公开了一种超宽带氮化镓器件小信号模型及其参数提取方法，该小信号模型在栅、源、漏端分别采用三个互联电容和级联电感网络结构形式，包括18个寄生参数和10个本征参数；寄生参数包括外层寄生电容Cpgi1、Cpdi1、Cgdi1等，寄生电感Lgi1、Ldi1、Lsi1等，寄生电阻Rg、Rd、Rs；本征参数包括本征电容Cgd、Cgs、Cds，本征电阻Rgs、Rgd、Rds，本征电流源Ids＝ViGme‑jωta中的参量Gm及ta。该模型可以准确描述高频器件特性，从而使得模型具有更宽的应用频带，最高能够适用于W频段；该参数提取方法可以实现模型参数在0.2‑110GHz的频率范围内具有良好稳定性。

主权项

一种超宽带氮化镓器件小信号模型，其特征在于，该小信号模型在栅、源、漏端分别采用三个互联电容和级联电感网络结构形式，包括18个寄生参数和10个本征参数；所述寄生参数包括第一至第九外层寄生电容Cpgi1、Cpdi1、Cgdi1、Cpgi2、Cpdi2、Cgdi2、Cpga、Cpda、Cgda，第一至第六寄生电感Lgi1、Ldi1、Lsi1、Lgi2、Ldi2、Lsi2，第一至第三寄生电阻Rg、Rd、Rs；所述本征参数包括第一至第三本征电容Cgd、Cgs、Cds，第一至第三本征电阻Rgs、Rgd、Rds，本征电流源Ids＝ViGme‑jωta中的参量Gm及ta，其中Vi为Cgs两端的电压；第一外层寄生电容Cpgi1和第四外层寄生电容Cpgi2用于描述栅极金属与金属基板之间的寄生电容效应；第二外层寄生电容Cpdi1和第五外层寄生电容Cpdi2用于描述漏极金属与金属基板之间的寄生电容效应；第三外层寄生电容Cgdi1和第六外层寄生电容Cgdi2用于描述栅极金属与漏极金属之间的寄生电容效应；第七外层寄生电容Cpga用于描述栅极PAD与金属基板之间的寄生电容效应，第八外层寄生电容Cpda用于描述栅极PAD与金属基板之间的寄生电容效应，第九外层寄生电容Cgda用于描述栅极PAD与漏极金属PAD之间的寄生电容效应。