[发明专利]一种逆导型IGBT有效
| 申请号： | 201610786770.2 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106206679B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;邓高强;周坤;刘庆;黄琳华;孙涛;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种逆导型IGBT。本发明的逆导型IGBT，其技术方案是：在N型高阻半导体材料表面形成P型区，所述P型区表面并列交替形成N型发射区和P型体接触区。在N型发射区中部形成贯穿P型区且底部与N型高阻半导体相接触的介质槽，由介质槽中的导电材料引出栅电极，形成槽栅结构；所述N型发射区和P型体接触区的共同引出端为发射极电极。在N型高阻半导体材料的背面，由连续交替变换的N型区和P型区形成集电区，所述N型和P型区的共同引出端为集电极。所述集电区的顶部引入电场截止区，电场截止区与集电区之间在器件纵向方向上有距离，电场截止区由沿器件横向方向连续交替变换的重掺杂N型区和轻掺杂P型区组成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 igbt | ||
【主权项】：
1.一种逆导型IGBT，在N型高阻半导体材料表面形成P型区(1)，所述P型区表面沿器件横向方向并列交替形成N型发射区(3)和P型体接触区(4)；在N型发射区(3)中部具有贯穿P型区(1)且底部与N型高阻半导体相接触的介质槽(2)，介质槽中具有位于槽内壁的绝缘介质层(21)和由绝缘介质层(21)包围的导电材料(22)，由介质槽中的导电材料(22)引出栅电极，形成槽栅结构；所述N型发射区(3)和P型体接触区(4)的共同引出端为发射极电极；在N型高阻半导体材料的背面，沿器件横向方向由连续交替变换的N型区(51)和P型区(52)形成集电区，所述N型区(51)和P型区(52)的共同引出端为集电极；所述集电区的正上方具有电场截止区(6)，电场截止区(6)与集电区之间在器件纵向方向上有距离，电场截止区(6)由沿器件横向方向连续交替变换的重掺杂N型区和轻掺杂P型区组成；所述重掺杂N型区用于保证正向阻断时的电场截止作用，轻掺杂P型区则充当电子势垒，使器件在正向导通初期电子电流流经电场截止区(6)下方的高阻路径，增大分布电阻；所述器件横向方向和器件纵向方向位于同一水平面且相互垂直。
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