[发明专利]自发光显示像素有效
| 申请号： | 201610786852.7 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106298856B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 凌严;朱虹 | 申请（专利权）人： | 上海箩箕技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种自发光显示像素，包括：自发光电路，所述自发光电路包括自发光器件，所述自发光器件包括底电极层；所述底电极层为非透光层；所述自发光显示像素还包括光学指纹感测电路，所述光学指纹感测电路包括第一TFT器件和感光器件，所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述底电极层正下方。所述自发光显示像素能够实现指纹感测功能，并且整体结构得到优化。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 显示 像素 | ||
【主权项】：
1.一种自发光显示像素，包括：自发光电路，所述自发光电路包括自发光器件，所述自发光器件包括底电极层；其特征在于：所述底电极层为非透光层；所述自发光显示像素还包括光学指纹感测电路，所述光学指纹感测电路包括第一TFT器件和感光器件，所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述底电极层正下方；所述感光器件包括感光半导体层，所述感光半导体层为PIN二极管或者PN二极管，所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述感光半导体层正下方；部分所述感光半导体层位于部分所述底电极层正下方，部分所述感光半导体层非位于所述底电极层正下方，增加感光器件的等效电容；所述自发光显示像素具有保护层，所述第一TFT器件和所述感光半导体层被所述保护层覆盖，至少部分所述底电极位于所述保护层上表面上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
