[发明专利]自发光显示像素有效
申请号: | 201610787024.5 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106229331B | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 凌严;朱虹 | 申请(专利权)人: | 上海箩箕技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06K9/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴圳添;吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种自发光显示像素,包括:自发光电路,所述自发光电路包括自发光器件;所述自发光显示像素还包括光学指纹感测电路,所述光学指纹感测电路包括第一TFT器件和感光器件;所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述感光器件正下方。所述自发光显示像素能够实现指纹感测功能,并且整体结构得到优化。 | ||
搜索关键词: | 发光 显示 像素 | ||
【主权项】:
1.一种自发光显示像素,包括:自发光电路,所述自发光电路包括自发光器件;其特征在于:所述自发光显示像素还包括光学指纹感测电路,所述光学指纹感测电路包括第一TFT器件和感光器件;所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述感光器件正下方;所述第一TFT器件的栅极层位于沟道层上方或者下方;所述光学指纹感测电路还包括与所述第一TFT器件的栅极层位于同一层的电极层;所述电极层位于所述感光器件下方,所述电极层和所述感光器件至少部分平行,所述电极层与所述感光器件之间具有绝缘层;所述电极层连接至公共电极,所述公共电极连接至固定电位;所述感光器件包括上电极层,所述上电极层连接至第一公共电极,所述第一公共电极连接至第一固定电位;所述自发光器件包括顶电极层,所述顶电极层连接至第二公共电极,所述第二公共电极连接至第二固定电位,降低感光器件和自发光器件的电子噪音。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的