[发明专利]一种Si基大功率激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610787924.X | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106207752B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李亮;刘应军;岳爱文;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司;武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/223;H01S5/343;H01S5/12 |
| 代理公司： | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341 | 代理人： | 何婷 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种Si基大功率激光器及其制备方法。其中，制造方法包括在Si衬底上刻蚀出沟槽；在沟槽中依次生长第一InP缓冲层和第二InP缓冲层，其中，第一缓冲层和第二缓冲层厚度总和超过沟槽深度；在第二InP缓冲层上生长第三InP/InGaAsP超晶格缓冲层和第四InP顶层缓冲层；在第四InP顶层上依次生长下限制层、多量子阱和上限制层，完成激光器外延工艺。本发明采用图形沟槽衬底、高深宽比限制和低温低压生长多层缓冲层结构，有效的解决了Si/InP的晶格失配位错的产生和反相畴在垂直方向上向外延层的延伸，从而得到高质量的InP外延层和激光器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 大功率 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Si基大功率激光器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在Si衬底上刻蚀出沟槽；在沟槽中依次生长第一InP缓冲层和第二InP缓冲层，其中，第一缓冲层和第二缓冲层厚度总和超过沟槽深度；在第二InP缓冲层上生长第三InP/InGaAsP超晶格缓冲层和第四InP顶层缓冲层；在第四InP顶层上依次生长下限制层、多量子阱和上限制层，完成激光器外延工艺。
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