[发明专利]哈密瓜的大棚种植方法

摘要

本发明公开了一种哈密瓜的大棚种植方法，包括步骤一、哈密瓜种子进行预处理；步骤二、将预处理过的哈密瓜种子播种后育苗；步骤三、定植前建造大棚并挖畦；步骤四、在畦的中间挖植穴，将哈密瓜苗种在植穴中，进入果实膨大期后一周内白天保持28～30℃，夜间16～18℃，并在夜间采用紫外灯照射；进入果实膨大期后一周至果实膨大期结束前第5天白天保持30～33℃，夜间12～14℃，并在夜间采用紫外灯照射，期间每隔2～4天，紫外灯照射前，在哈密瓜表面涂刷竹醋液；果实膨大期结束前4天内白天保持30～33℃，夜间16～18℃。本发明中在果实膨大期分阶段控温结合支撑架的设置，能得到含糖量更高且产量更高的哈密瓜。

主权项

一种哈密瓜的大棚种植方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、对哈密瓜种子进行预处理，预处理的方法为：采用清水浸泡哈密瓜种子1.5h后，用质量分数为2％的α‑淀粉酶溶液浸泡哈密瓜种子0.5h，将浸泡后的哈密瓜种子在40℃下恒温24h，然后在70℃恒温24h，再用30～50w的紫外灯照射哈密瓜种子0.5～1h后得到预处理后的哈密瓜种子；步骤二、选择2月上旬的下午进行育苗，将预处理后的哈密瓜种子播种在育苗盘中，播种后覆土厚度为0.8～1.5cm，覆土后浇18～25℃温水1次，育苗期间苗床温度在白天保持为26～32℃，夜间保持为18～20℃，育苗20～35天得到哈密瓜苗后定植；步骤三、选取3年内未种过瓜类的沙壤土的地块作为瓜地，选取瓜地的土壤中有机质含量不小于1.0％，土壤酸碱度pH值为7～8，定植前一个月，在瓜地中进行土壤深度达25～30cm的翻土，然后将有机肥1500～2500kg/亩、油渣50～80kg/亩、复合肥25～35kg/亩以及硫酸钾1～5kg/亩施入土壤中，定植前12～18天在瓜地上建造弧形大棚，弧形大棚高1.6～2.6m，在瓜地挖宽为0.8～1.2m，高为20～30cm的畦；步骤四、在定植前5～9天选择70～90cm宽的银灰膜作为地膜覆盖在畦上，定植时先在每个畦中按株距35～45cm，定植密度为900～1200株/亩依次挖植穴，将哈密瓜苗依次种在每列植穴中后，将敌磺钠可湿性粉剂稀释1000～1500倍后的溶液浇入每个植穴，哈密瓜的生长进入果实膨大期前，大棚内白天保持28～32℃，夜间保持为12～20℃，进入果实膨大期后进行控温管理，并在哈密瓜离根部20～35cm处按照10～15kg/亩穴施复合肥，在哈密瓜叶上喷肥质量分数为3‰的磷酸二氢钾溶液，哈密瓜采摘前5～10天停止浇水；果实膨大期进行控温管理的具体方法为：进入果实膨大期后一周内为第一阶段，第一阶段大棚内白天保持28～30℃，夜间保持16～18℃，并在夜间每天采用30～50w的紫外灯照射哈密瓜1～2h；进入果实膨大期后一周至果实膨大期结束前第5天为第二阶段，第二阶段大棚内白天保持30～33℃，夜间保持12～14℃，并在夜间每天采用50～70w的紫外灯照射哈密瓜1～2h，期间每隔2～4天，在采用紫外灯照射哈密瓜前，先用刷子蘸取质量分数为1％的竹醋液涂刷在哈密瓜表面，然后采用紫外灯照射哈密瓜；果实膨大期结束前4天内为第三阶段，第三阶段大棚内白天保持30～33℃，夜间保持16～18℃。