[发明专利]高导热、高导电石墨烯/银纳米线复合薄膜的制备方法及薄膜

摘要

本发明涉及一种高导热、高导电石墨烯/银纳米线复合薄膜的制备方法及薄膜，本发明要解决石墨烯和银纳米线复合薄膜的成型问题。方法：配制银纳米线分散液；配制石墨烯分散液；银纳米线分散液与石墨烯分散液混合；静电喷雾沉积法制备复合薄膜；热压烧结得到高导热、高导电石墨烯/银纳米线复合薄膜；本发明能够制备高导热、高导电、大尺寸、石墨烯分散均匀的样品，且制备过程中复合薄膜易从基底上脱离，可广泛地应用于工业生产中。

主权项

1.石墨烯/银纳米线复合薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1)配制银纳米线分散液：将银纳米线分散在N‑甲基吡咯烷酮中；2)配制石墨烯分散液：将石墨烯粉末分散在N‑甲基吡咯烷酮中；3)银纳米线分散液与石墨烯分散液混合；4)静电喷雾沉积法制备复合薄膜：将步骤3)得到的混合分散液通过静电喷雾沉积法沉积在金属基底上，在金属基底上形成石墨烯/银纳米线复合薄膜，将金属基底与复合薄膜分离；5)热压烧结：将步骤4)分离得到的复合薄膜干燥后热压烧结，即得到高导热、高导电石墨烯/银纳米线复合薄膜；所述步骤4)具体为：静电喷雾沉积法制备复合薄膜：将混合分散液注入注射器中，用注射泵注射；将金属基底固定在热台上，在注射器的针头加上高压电，金属基底接地，即在金属基底和针头之间形成静电场；将混合分散液在高压下注射形成喷雾，逐渐沉积在金属基底上；喷射完成后，将金属基底放在去离子水中，则复合薄膜自行脱落，即得到高导热、高导电石墨烯/银纳米线复合薄膜，通过控制针头的数目和金属基底的面积控制复合薄膜的尺寸；步骤1)中所述的银纳米线分散液中，银纳米线的浓度为0.2mg/mL；步骤2)中所述的石墨烯粉末是通过液相剥离法制备的，所述的石墨烯分散液中石墨烯的浓度为0.1mg/mL～2mg/mL；步骤4)中所述的注射泵注射速度为40～100μL/min，电压为11.5kV ，热台温度为130℃～160℃,注射器的针头数量为2～4个，针头和铝箔之间的垂直距离为2cm～3.5cm；先进行上述步骤1)后进行上述步骤2)，或先进行上述步骤2)后进行上述步骤1)；所述金属基底为铝箔，将金属基底与复合薄膜分离的方法为喷射完成后，将金属基底与复合薄膜放在去离子水中，则复合薄膜自行从金属基底上脱落。