[发明专利]带有限流PN结的场发射阴极结构在审
| 申请号： | 201610789565.1 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106128907A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 祁康成;李建樟;王小菊;王旭聪;曹贵川 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J1/308 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带有限流PN结的场发射阴极结构，包括衬底、衬底上方的导电层、导电层上方的P型半导体层、P型半导体层上方的N型半导体层、N型半导体层上方的阴极发射体，P型半导体层与N型半导体层形成一个PN结，PN结在阴极工作时处于反向偏置状态；本发明利用PN结在一定的反向偏压下流通电流几乎不随反向偏置电压的变化而变化的特点，通过在场发射阵列中的每一个发射单元下方都串联一个PN结，平衡每一个单元的发射电流，从而提高场发射阴极阵列的发射电流的稳定性和均匀性，避免部分发射体负载过大而烧毁，延长器件的寿命，提高阴极的总体发射能力。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 限流 pn 发射 阴极 结构 | ||
【主权项】：
一种带有限流PN结的场发射阴极结构，其特征在于：包括衬底、衬底上方的导电层，导电层上方的P型半导体层、P型半导体层上方的N型半导体层、N型半导体层上方的阴极发射体，P型半导体层与N型半导体层形成一个PN结，所述PN结在阴极发射体工作时处于反向偏置状态。
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