[发明专利]一种集成电路测试方法有效
| 申请号： | 201610789618.X | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106443410B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 张为凤 | 申请（专利权）人： | 广西南宁市沃威机电设备有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 陈娟 |
| 地址： | 530000 广西壮族自治区南宁*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成电路测试方法，包括：（1）提供一集成电路测试结构；（2）测试单个沟槽隔离结构的第一介电参数；（3）测试单个半导体器件的第二介电参数；（4）测试相邻的单个沟槽隔离结构合单个半导体器件的第三介电参数；（5）比较第一、第二和第三介电参数，对单个沟槽隔离结构进行评价。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路测试方法，包括：（1）提供一集成电路测试结构，所述集成电路测试结构包括：衬底；形成于所述衬底的上表面上的分立的多个半导体器件；设置于所述多个半导体器件之间的、位于所述衬底内的多个沟槽隔离结构，每个所述多个沟槽隔离结构包括设置在其侧面上的相对的两个电极板层、填充在所述多个沟槽隔离结构并位于所述电极板层上的沟槽隔离材料、位于电极板层和沟槽隔离材料之间的碳化硅层；其中，所述多个半导体器件中的一个半导体器件的两侧具有第一和第二沟槽隔离结构，所述第一沟槽隔离结构具有焊盘P1、P2，所述第二沟槽隔离结构具有焊盘P3、P4，焊盘P1、P4距离所述一个半导体器件较远，而焊盘P2、P3距离所述一个半导体器件较近；（2）在焊盘P1、P2之间施加电压，测试所述第一沟槽隔离结构的电容，由此得到第一介电参数；（3）在焊盘P2、P3之间施加电压，测试所述一个半导体器件的电容，由此得到第二介电参数；（4）在焊盘P1、P3之间施加电压，测试所述第一沟槽隔离结构和所述一个半导体器件之间的电容，由此得到第三介电参数；（5）比较第一、第二和第三介电参数，对所述第一沟槽隔离结构进行评价。
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